[23a-P10-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-P10-13] Electrical properties of normally-off type AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO₂/Al₂O₃ double insulators fabricated by ALD

〇Keitaro Toda¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.NITech)

Keywords:GaN, ALD, HEMT

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は次世代のパワーデバイスとして研究されている。Al₂O₂ とSiO₂ を用いて2 層絶縁膜を形成することにより、界面特性が良いMIS 構造を作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではデバイスのノーマリーオフ化を図るため、2層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT を作製し、I-V 特性をパルス特性も含めて評価した。