[23a-P10-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-P10-2] High-Selective Deep RIE of 4H-SiC with SiO₂ Hard Mask in Cl₂/HBr/O₂ Plasma Chemistry

〇(M1)Riku Takeuchi¹, Tadashi Sato¹, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.RNBS, Hiroshima Univ.)

Keywords:semiconductor, SiC

短チャネル4H-SiC MOSFETsでは短チャネル効果抑制を行う必要があるが、その抑制方法としてFinFETsやトライゲートなどのデバイス3次元化がある。それらを作製するにはエッチングによるFin構造形成が不可欠であり、マスク材料との高選択比SiCエッチングが求められる。本研究では4H-SiCエッチングとして、Cl₂/HBr/O₂ プラズマを用いた反応性イオンエッチング（RIE）を行い、形状や選択比の評価を行ったので報告する。