[23a-P10-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-P10-3] Thermal Oxidation of SiC Surface at Lower Temperatures:
O₂ Pressure Dependences of Oxidation Rates of Si and C Surfaces

〇Yuta Murono¹, Masayoshi Sato¹, Haruto Koriyama¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:grouth rate, pressure dependence, orientation dependence

我々は、1000℃以下の比較的低温での熱酸化反応の振る舞いについて報告し、Si面、C面それぞれにおける酸化反応の活性化エネルギーについて議論してきた。
今回は、さらに酸素圧力を減圧し、初期酸化の振る舞いを詳細に測定した。両面での酸化速度の圧力依存性に前回と同様の顕著な特徴が見られたので、これまでの低温熱酸化の結果と共に報告する。