[23a-P10-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-P10-4] Nanoscale inhomogeneity of Ba-introduced oxide film on SiC

〇Shogo Sekine¹, Mitsuo Okamoto², Mitsuru Sometani², Hirohisa Hirai², Ryu Hasunuma¹ (1.Tsukuba Univ., 2.AIST)

Keywords:semiconductor, SiC, oxide film

酸化膜へのBa導入はSiC MOSFETの特性向上プロセスの一つとして有望である。しかし、Baは増速酸化による酸化膜のラフネス増加効果も持っており、そのメカニズムは明らかになっていない。本研究では、Baを含むSiC上酸化膜のステップエッチングとAFMによる同一箇所の追跡を行い、Ba導入酸化膜の面内不均質性を調査した。