[23a-P10-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-P10-5] Study of Si-SOI/SiO₂/4H-SiC direct wafer bonding

〇(M2)Kazuya Kawamura¹, Tatsuya Meguro¹, Masayuki Tsutsumi¹, Takeshi Ohshima², Yasunori Tanaka³, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.RNBS, Hiroshima Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:semiconductor, direct wafer bonding

本研究ではSiCとSiの利点を併せ持つハイブリッドデバイスの開発に向けたSi-SiC基板の直接接合に着目し、熱酸化膜を接合界面に挟んだSi-SOI/SiO₂/4H-SiCの接合条件最適化を行ったのでこれを報告する。