[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-3] SiC基板表面の低温熱酸化：面方位による酸素圧力依存性の差異

〇室野 優太¹、佐藤 聖能¹、郡山 春人¹、遠田 義晴¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：酸化速度、圧力依存、面方位依存

我々は、1000℃以下の比較的低温での熱酸化反応の振る舞いについて報告し、Si面、C面それぞれにおける酸化反応の活性化エネルギーについて議論してきた。
今回は、さらに酸素圧力を減圧し、初期酸化の振る舞いを詳細に測定した。両面での酸化速度の圧力依存性に前回と同様の顕著な特徴が見られたので、これまでの低温熱酸化の結果と共に報告する。