[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-4] SiC上Ba導入酸化膜の面内不均質性

〇関根 将吾¹、岡本 光央²、染谷 満²、平井 悠久²、蓮沼 隆¹ (1.筑波大学、2.産総研)

キーワード：半導体、SiC、酸化膜

酸化膜へのBa導入はSiC MOSFETの特性向上プロセスの一つとして有望である。しかし、Baは増速酸化による酸化膜のラフネス増加効果も持っており、そのメカニズムは明らかになっていない。本研究では、Baを含むSiC上酸化膜のステップエッチングとAFMによる同一箇所の追跡を行い、Ba導入酸化膜の面内不均質性を調査した。