[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-9] 逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価

〇(M2)前 勝利¹、山谷 朱里¹、中村 成志¹ (1.都立大院システムデザイン)

キーワード：プラズマ照射誘起欠陥、窒化ガリウム