[23a-P11-1~18] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[23a-P11-17] Photoluminescence measurements from low to high temperature for wide-band gap semiconductor

〇Shunnosuke Okino¹, Tomoyuki Uchida¹, Ryuichi Sugie¹ (1.Toray Research Center)

Keywords:Photoluminescence, wide-band gap semiconductors, defect

顕微鏡用冷却加熱試料ステージを顕微フォトルミネッセンス(PL)装置に組み込むことで、低温–高温PLスペクトル測定装置を作製した。バンドギャップの異なる窒化ガリウム(GaN), 炭化ケイ素(4H-SiC), ガリウムリン(GaP)におけるPLスペクトル温度依存性を120 Kから500 Kにおいて測定した。GaNにおいては室温より高温のPL測定も含めてアレニウス型のモデル関数でよく再現され、高温域のPLスペクトル測定が必須であることを確認した。