[23p-P06-1~4] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[23p-P06-3] Caluculation of band offsets in InP/GaP-based Type II quantum dot structures for solar cell applications

〇Takeshi Arimoto¹, Keisuke Yamane¹, Reito Hori¹, Akihiro Wakahara¹ (1.toyohashi.tec)

Keywords:Crystal Engineering, epitaxial growth, quantum dots

Type-IIバンドアライメントを利用した太陽電池の設計指針を得るために、バンドオフセットのドットサイズ依存性を調べた。シミュレーション結果より、バリア材料がGaPNとGaAsPNの場合、ドットサイズが10nmから50nmの間において、GaPは10nmから20nmの点で、電子/正孔分離に十分なバンドオフセットが得られた。またVBOはいずれのバリア材料で400meV以上の十分なオフセットを得られた。以上のことからType-II構造が実現可能な材料とドットサイズを示すことができた。