[23p-P06-1~4] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P06-3] 太陽電池応用に向けた InP/GaP 系 Type II 量子ドット構造におけるバンドオフセットの検討

〇有本 岳史¹、山根 啓輔¹、堀 礼人¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：結晶工学、エピタキシャル成長、量子ドット

Type-IIバンドアライメントを利用した太陽電池の設計指針を得るために、バンドオフセットのドットサイズ依存性を調べた。シミュレーション結果より、バリア材料がGaPNとGaAsPNの場合、ドットサイズが10nmから50nmの間において、GaPは10nmから20nmの点で、電子/正孔分離に十分なバンドオフセットが得られた。またVBOはいずれのバリア材料で400meV以上の十分なオフセットを得られた。以上のことからType-II構造が実現可能な材料とドットサイズを示すことができた。