[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-10] A Study on temperature dependence of InN growth using DERI method

〇(M2)Tongzhou Zhang¹, Naoki Goto¹, Shinichiro Mouri¹, Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:indium nitride, Molecular Beam Epitaxy

InN結晶成長における困難を克服し、諸条件を最適化するために、本検討ではRF-MBE法による本研究室で提案されたDERI(Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation)法を用いて、GaN/Sapphire基板上に高品質なInN結晶を成長することを目的とし、今回はInN結晶成長の成長温度依存性について検討した結果を報告する。