[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-9] Photoluminescence properties on InN grown on AlN template by RF-MBE

〇Daiki Nakayama¹, Shinichiro Mori¹, Anri Fukuda¹, Yusuke Takabayashi¹, Kanako Shojiki², Hideto Miyake^2,3, Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Grad. School of Eng., 3.Grad. School of RIS)

Keywords:photoluminescence, InN, AlN

窒化インジウム(InN)は、窒化物半導体野中で最も小さいバンドギャップ、大きな移動度を有しており、高速・高周波デバイスや赤外発光デバイスへの応用が期待されている。しかし、実用化には結晶成長上の課題が存在する。そこで、本講演では、デバイス応用に適した結晶基板探索の一環として、スパッタ・アニール法で作成した高品質AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成膜したInNの発光特性を評価し、基板極性・成長法による差異を調べた。