[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-2] Growth of ultra-thin GaN/AlN superlattice structure by RF-MBE

〇Naoya Mokutani¹, Yuichi Wada¹, Shinichiro Mouri¹, Kanako Shojiki², Hideto Miyake^2,3, Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 3.Grad. Sch. of RIS., Mie Univ.)

Keywords:GaN/AlN superlattice, Deep UV

我々は高効率な深紫外 LED 発光層の作製を目的とし、RF-MBE 法を用いて高品質 AlN テンプレート上への極薄 GaN/AlN 超格子構造成長を検討している。今回は超格子構造作製の成長条件およびシャッター制御の検討について報告する。