[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-6] Influence of substrate temperature for gallium nitride film deposition using high-density convergent plasma sputtering device

〇Taisei Motomura¹, Tatsuo Tabaru¹, Masato Uehara¹ (1.AIST)

Keywords:sputtering, high-density convergent plasma, gallium nitride

我々はスパッタ成膜中の基板へのイオンダメージ抑制のために、高密度プラズマをターゲットに収束照射可能なスパッタ装置を提案してきた。基板ヒーター温度を非加熱から800℃とし、サファイア(0001)基板上にGaN膜を作製した。200℃以上で得られた膜の極点図において6回対称のGaN{10-11}回折ピークを得た。発表ではGaN膜のXRD測定結果の基板温度依存性について述べる。