[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-7] Growth mechanism of GaN layer by UHV sputter epitaxy method

〇(M1)Genki Saito¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:sputter epitaxy, gallium nitride

我々は，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてⅢ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行っている．スパッタリング法は非熱平衡状態における成長法であるため，準安定相が成長層中に含まれてしまうことが多くある．
今回は，GaN層の成長において，N₂/Ar反応ガスの混合比や基板温度を変化させた際の結晶構造の詳細について検討したので報告する．