[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-1] ミストCVD法によるIrBr₃前駆体を用いたα-Ir₂O₃薄膜の成長

〇赤石 智悠¹、四戸 孝²、金子 健太郎¹ (1.京大院工、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化イリジウム、酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ半導体

α-Ga₂O₃とヘテロ接合可能なp型半導体としてα-Ir₂O₃が注目を集めている。本研究では前駆体としてIrBr₃を用いてミストCVD法によってα-Ir₂O₃薄膜の成長を行った。その結果、表面状態の改善および成長レートの向上が確認され、IrBr₃が前駆体として有効であることが示された。また、Hall測定およびSeebeck測定の結果、このα-Ir₂O₃薄膜はp型伝導性を示すことが分かった。