[23p-P12-1~11] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23p-P12-5] Growth of single-crystalline ZnO layer by sputter epitaxy method

〇(M1)Hyuga Kimura¹, Ryota Misawa¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:sputter epitaxy, ZnO

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，高温領域におけるZnO層のエピタキシャル成長を行っている．これまでに，Al₂O₃基板上に直接成長を行ったところ基板温度が900 ℃付近において，(0002)面におけるXRC FWHM値が50 arcsec以下のものが得られている．今回は，高温領域で成長したZnO層の結晶性や電気的特性について検討を行ったので報告する．