[23p-P12-1~11] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23p-P12-7] O₂ annealing effect of the single crystal (InGaO₃)(ZnO)_n(n=1,3)

〇Yusuke Kawamura¹, Naoki Kase¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.TUS)

Keywords:IGZO, TCO, Single crystal

IGZOは透明導電性酸化物として様々なデバイスに応用されているが、物性値のキャリア数依存性は未解明なことが多い。本研究では、(InGaO₃)(ZnO)と(InGaO₃)(ZnO)₃のバルク単結晶を用意し、酸素アニール処理によってキャリア数を制御した。それぞれの結晶で電気伝導度測定、ホール測定を行い、結晶構造の差異が物性値のキャリア数依存性に与える影響を調べた。