[23p-P12-1~11] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23p-P12-9] Sputter deposition of high-mobility amorphous In₂O₃:Sn films above 350°C using nitrogen

〇Yuta Mido¹, Daisuke Yamashita¹, Takamasa Okumura¹, Kunihiro Kamataki¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:sputtering, amorphous, ITO

In₂O₃:Sn (ITO) 薄膜は可視光領域における高い透過率と低い電気抵抗率を併せ持つことから，タッチパネル等の透明電極として用いられており，なかでも近年，優れた表面平坦性や高いエッチング速度といった優位性から，アモルファスITO (a-ITO) 膜が注目されている．本研究では，不純物であるN原子フラックスを制御することで，結晶化温度よりもはるかに高い350°Cでのa-ITO膜の作製に成功したので報告する．