[23p-P13-1~22] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[23p-P13-17] Device application of WS₂ thin films grown by ALD at a low temperature

〇Takafumi Fukushima¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, atomic layer deposition, WS2

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)はグラフェンに代表されるような層状物質の一種であり、その特異な電気的・光学的性質や層数によって特性が変化するという点から、幅広い応用が期待されている。本研究では、電界効果トランジスタ(FET)に応用した際に両極動作することが確認されている二硫化タングステン(WS₂)に注目し、ALD法によって低い温度で成長させFETを作製・測定することで、WS₂の電気的特性と膜質間の関係を調べた。