[23p-P13-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[23p-P13-17] 低温ALD成長したWS₂薄膜の素子応用

〇福島 崇史¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法、二硫化タングステン

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)はグラフェンに代表されるような層状物質の一種であり、その特異な電気的・光学的性質や層数によって特性が変化するという点から、幅広い応用が期待されている。本研究では、電界効果トランジスタ(FET)に応用した際に両極動作することが確認されている二硫化タングステン(WS₂)に注目し、ALD法によって低い温度で成長させFETを作製・測定することで、WS₂の電気的特性と膜質間の関係を調べた。