16:30 〜 16:45 [17p-Z26-10] (111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現 〇(DC)隅田 圭1、吉津 遼平2、トープラサートポン カシディット1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.東大工)
16:45 〜 17:00 [17p-Z26-11] (111) InAs-OI nMOSFETのチャネル薄膜化による移動度向上の実現と伝導帯内の界面準位の実験的評価 〇(DC)隅田 圭1、吉津 遼平2、トープラサートポン カシディット1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.東大工)