11:15 〜 11:30 [16a-Z26-9] 静電的なクロストークを低減できる物理形成シリコン量子ドットのゲート構造提案 〇泊 開人1,2、西山 伸平1、田所 雅大1、小寺 哲夫1 (1.東工大工、2.ニコン)