[16a-Z26-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16a-Z26-9] Proposal of gate structure of physically defined Si quantum dots for reducing electrostatic crosstalk

〇Kaito Tomari^1,2, Shimpei Nishiyama¹, Masahiro Tadokoro¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech., 2.Nikon Corp.)

Keywords:Quantum dot, Silicon

物理形成シリコン量子ドットは、電子線露光とエッチングにより量子ドット構造を物理的に形成するため、必要な電極の数が少なく集積に適すると考えられる。しかし量子ドットが複数存在すると、意図しないゲート電極-量子ドット間に静電的なクロストークが生じてしまう。本講演では、物理形成シリコン量子ドットを土台にして、意図しない静電的なクロストークを低減できるシリコン量子ドットの構造の検討を行った。