09:30 〜 09:45 △ [17a-Z27-3] HVPE法によって作製されたp型GaNの電気および構造特性評価 〇(D)大西 一生1、天野 裕己1、藤元 直樹2、新田 州吾2、渡邉 浩崇2、本田 善央2、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大ARC、4.名大VBL)