10:00 〜 10:15 [16a-Z16-5] GaN(0001)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価 冨ケ原 一樹1、和田 悠平1、〇溝端 秀聡1、野崎 幹人1、吉越 章隆2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.原子力機構)
10:15 〜 10:30 △ [16a-Z16-6] SiO2/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討 〇溝端 秀聡1、和田 悠平1、野崎 幹人1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)