16:00 〜 16:15 [17p-Z26-8] 転写技術によるSi/Ge異種チャネル相補型FET(hCFET)の開発 〇前田 辰郎1、石井 裕之1、入沢 寿史1、洪 子杰2、宋 柏融2、李 耀仁2、張 文馨1 (1.産総研、2.台湾半導体研究中心)