17:00 〜 17:50 [19p-P06-2] Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ 〇久保 俊晴1、吉田 信輝1、江川 孝志1 (1.名工大)