09:00 〜 09:15 [16a-Z27-1] 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長 〇田辺 凌1、吉田 新1、安田 悠馬1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)