The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

Tue. Mar 16, 2021 9:00 AM - 11:30 AM Z27 (Z27)

Masataka Imura(NIMS), Maki Kushimoto(Nagoya Univ.)

9:00 AM - 9:15 AM

[16a-Z27-1] Fabrication of GaN Template with Different Polar Directions using Surface-Activated Bonding and MOVPE of InGaN Quantum Wells with Different Compositions

Ryo Tanabe1, Shin Yoshida1, Yuma Yasuda1, Masahiro Uemukai1, Tomoyuki Tanikawa1, Ryuji Katayama1 (1.Osaka univ.)

Keywords:surface activated bonding, micro LED

新規マイクロLED構造の提案を行う。窒化物半導体は成長面によってInの取り込み効率が異なるため、成長面の異なる領域が面内に混在したGaN薄膜上にInGaNを成長させると、赤、緑、青色の発光色を持つInGaN量子井戸を一度に成長できる可能性がある。本研究では、表面活性化接合を用いた面方位の異なるGaN薄膜を同一基板上に積層した面方位変調GaNテンプレートの作製プロセスとInGaN/GaN多重量子井戸の発光波長の成長面方位依存性について報告する。