09:45 〜 10:00 [17a-Z03-4] SiGe表面 で の 水素を用いた Si サイト選択 的脱離 の第一原理計算解析 〇菅野 量子1、石井 洋平2、三浦 真3、桑原 謙一3 (1.日立研開、2.日立ハイテクアメリカ、3.日立ハイテク)