Hojun Kang

発表者・著者、共著者

2021年3月17日(水) 09:00 〜 11:45 Z03 (Z03)

一般セッション(口頭講演)
| 8 プラズマエレクトロニクス
| 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

10:45 〜 11:00

▼ [17a-Z03-8] Surface reactions of fluorinated Y₂O₃ by H⁺and O⁺ ion irradiation

〇(M2)Hojun Kang¹、Tomoko Ito¹、Junghwan Um²、Hikaru Kokura²、Taekyun Kang²、Sung-Il Cho²、Hyunjung Park²、Kazuhiro Karahashi¹、Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ.、2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)