10:45 〜 11:00 [17a-Z26-8] HfOx系ReRAMにおけるフォーミング電圧の電極材料依存性 〇(M1C)鈴木 政洋1、道古 宗俊1、石井 芳晶1、茂庭 昌弘1 (1.東京工科大工)