14:45 〜 15:00 [17p-Z26-4] [第12回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測 〇濱野 誉1,2、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)