09:15 〜 09:30
▲ [19a-Z31-2] Top-gate monolayer MoS2 MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics formed by low temperature ALD
〇WENHSIN CHANG1、Naoya Okada1、Masayo Horikawa1、Takahiko Endo2、Yasumitsu Miyata2、Toshifumi Irisawa1 (1.AIST、2.TMU)
WENHSIN CHANG
発表者・著者、共著者
2021年3月19日(金) 09:00 〜 12:00 Z31 (Z31)
- 一般セッション(口頭講演)
- | 17 ナノカーボン
- | 17.3 層状物質