15:30 〜 15:45 [19p-Z15-9] 3元系亜鉛窒化物半導体YZn3N3の第一原理計算による物性予測とスパッタリング薄膜の作製 〇菊地 諒介1,2、中村 透1、藏渕 孝浩1、金子 泰1、熊谷 悠2、大場 史康2 (1.パナソニック、2.東工大)