Mickael Lozach

発表者・著者、共著者

2021年3月19日(金) 13:30 〜 16:15 Z24 (Z24)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:45 〜 16:00

▲ [19p-Z24-9] Is the Si-O Stretching Mode from Gate Oxide in MOS Structure related to the Density of
Interface States?

〇Mickael Lozach¹、Sommawan Khumpuang^1,2、Shiro Hara^1,2 (1.Minimal Fab Promoting Organization、2.National Institute of Advanced Science and Technology (AIST))