15:00 〜 15:15 [19p-Z25-8] 変調ドープによる電子正孔がGaAsまたはInGaAsチャネルに形成されたヘテロ接合デバイスの特性 〇(M2)尾川 弘明1、豊原 真由1、浅賀 圭太1、岩田 直高1 (1.豊田工大)