[16a-Z10-1~10] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16a-Z10-5] 可視光用SiN導波路の伝搬損失評価

〇前神 有里子¹、成島 利弘¹、横山 信幸¹、齊藤 茂¹、大塚 実¹、河島 整¹、山田 浩治¹ (1.産総研)

キーワード：SiN導波路、伝搬損失、材料損失

量産性に優れるCMOS互換プロセスを用いて作製できる可視光用導波路材料として窒化シリコン (SiN) が挙げられる。今回、LP-CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) により成膜した正規組成比のSiN薄膜をコアとした光導波路を作製し、波長452 nmと524 nmにおいて、伝搬損失を評価したので報告する。