[16a-Z13-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[16a-Z13-3] PMA後の純水リンスによるGeO₂膜質及びGeO₂/Ge界面特性の改善

〇(M1)飯野 寛貴¹、堀口 遥¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：ゲルマニウム、半導体