[16a-Z13-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[16a-Z13-4] プラズマ窒化処理によるGeO₂膜の膜質改善の検討

〇(M1)伊藤 圭佑¹、高橋 陽輝¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：ゲルマニウム、半導体