[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-11] β-Ga₂O₃電子構造のUPS評価に基づくMOS界面固定電荷密度の正確な抽出

〇武田 大樹¹、喜多 浩之¹ (1.東大工)

キーワード：Ga2O3、界面固定電荷密度、電子構造

β-Ga₂O₃(001)の真空準位から価電子帯上端までの深さは8.2eVであるとUPS測定によって推定することができた。β-Ga₂O₃(001)のバンドギャップを4.7~4.8eV，キャリア濃度を6×10¹⁵cm^-3としてイオン化ポテンシャルを計算すると3.5~3.6eVとなった。作製したSiO₂/β-Ga₂O₃(001)MOSキャパシタの界面固定電荷密度を，UPS測定の結果に基づいて評価すると，正の固定電荷が<1.5×10¹¹cm^-2に抑制されていることが分かった。