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△ [16a-Z16-6] SiO2/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討
キーワード:FGA、GaN MOS、酸化ガリウム
我々は,極薄のGaOx界面層を有するSiO2/GaOx/GaN構造を後酸化することで良好な界面電気特性が得られることを報告してきた。一方,水素ガスアニールをSiO2/GaOx/GaN構造に施すと,GaOx界面層での固定電荷生成と,それによるVFBの負方向シフトが生じることも報告した。そこで本研究では,SiO2/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件について検討したので報告する。