[16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-Z23-1] RFスパッタ成長時の基板温度がガラス基板上BaSi₂膜の特性に与える影響

〇小板橋 嶺太¹、根本 泰良¹、召田 雅美²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード：BaSi2、スパッタリング法、シリサイド半導体