[16a-Z26-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16a-Z26-4] p/n接合中の共鳴不純物準位によるトンネル電流の増大:
直接・間接バンドギャップ系の比較

〇趙 祥勲¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：TFET、トンネル