[16a-Z26-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16a-Z26-9] 静電的なクロストークを低減できる物理形成シリコン量子ドットのゲート構造提案

〇泊 開人^1,2、西山 伸平¹、田所 雅大¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大工、2.ニコン)

キーワード：量子ドット、シリコン

物理形成シリコン量子ドットは、電子線露光とエッチングにより量子ドット構造を物理的に形成するため、必要な電極の数が少なく集積に適すると考えられる。しかし量子ドットが複数存在すると、意図しないゲート電極-量子ドット間に静電的なクロストークが生じてしまう。本講演では、物理形成シリコン量子ドットを土台にして、意図しない静電的なクロストークを低減できるシリコン量子ドットの構造の検討を行った。