[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-Z27-1] 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長

〇田辺 凌¹、吉田 新¹、安田 悠馬¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：表面活性化接合、マイクロLED

新規マイクロLED構造の提案を行う。窒化物半導体は成長面によってInの取り込み効率が異なるため、成長面の異なる領域が面内に混在したGaN薄膜上にInGaNを成長させると、赤、緑、青色の発光色を持つInGaN量子井戸を一度に成長できる可能性がある。本研究では、表面活性化接合を用いた面方位の異なるGaN薄膜を同一基板上に積層した面方位変調GaNテンプレートの作製プロセスとInGaN/GaN多重量子井戸の発光波長の成長面方位依存性について報告する。