[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-Z27-3] 【注目講演】InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ

〇樋口 晃大¹、松下 就哉¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：レーザ、InGaN、DBR

本研究では、400 nm帯InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザを作製し、パルス駆動による単一モード発振を実証した。DBRレーザは光集積デバイスの光源に適しており、GaNやAlNを用いた波長変換デバイスと集積することで、コンパクトな200 nm帯深紫外光源や800 nm帯光子対光源を実現できる。発表当日には、DBR領域に個別に電流注入を行うことで得られる波長可変性についても報告する。