[16a-Z31-1~11] 17.2 グラフェン

[16a-Z31-8] Twisted二層グラフェン/h-BN接合における特異な電場スクリーニング

〇瀬尾 優太¹、増渕 覚¹、守谷 頼¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^1,2、越野 幹人³、町田 友樹^1,4 (1.東大生研、2.物材機構、3.阪大理、4.CREST-JST)

キーワード：グラフェン、Twisted二層グラフェン

金属トップゲート/h-BN/Twisted二層グラフェン (TBG)/h-BN/グラファイトバックゲート構造においてトップゲート及びバックゲート電圧印加を用いたキャリア変調を行いながらTBGの電気伝導測定を行ったところ、T = 1.6 Kにおいてバックゲート電圧を印加してもTBGのキャリア変調ができない現象がトップゲート電圧の大きさに依らず特定のバックゲート電圧の範囲で観測された。講演ではこの現象の特徴とその機構やバンド構造との関係について議論する予定である。